小信号场效应管-深圳市仕芯微科技有限公司

型号	N/P	Vds (V)	Vgs(V)±	ID(A)	Vth (V) min	Vth (V) typ	Vth (V) max	Rdson_10V(mΩ) Typ	Rdson_10V(mΩ) Max	Rdson_4.5V(mΩ) Typ	Rdson_4.5V(mΩ) Max	Rdson_2.5V(mΩ) Typ	Rdson_2.5V(mΩ) Max	ESD	封装
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SEM100GN360THL（Download）	N-ch MOS	100	±20	360	2	-	4	1.25	1.45	-	-	-	-	-	TOLL
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SEM2301A（Download）	P-ch MOS	-20	±12	-2.8	-0.5	-0.7	-1	-	-	56	75	80	100	-	SOT-23
SEM2301B（Download）	P-ch MOS	-20	±12	-2.5	-0.4	-0.65	-1	-	-	85	105	115	155	-	SOT-23
SEM2301C（Download）	P-ch MOS	-20	±12	-1.5	-0.4	-0.62	-1	-	-	128	160	164	230	-	SOT-23
SEM2301G（Download）	P-ch MOS	-20	±12	-3	-0.5	-0.7	-1	-	-	55	70	70	100	-	SOT-23
SEM2301T（Download）	P-ch MOS	-20	±12	-2	-0.35	-0.6	-1	-	-	90	-	115	150	-	SOT-523
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SEM2302B（Download）	N-ch MOS	20	±10	2.5	0.6	-	1.1	-	-	45	55	55	80	-	SOT-23
SEM2302C（Download）	N-ch MOS	20	±10	3	0.45	-	1	-	-	51	64	72	91	-	SOT-23
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SEM2305-S（Download）	P-ch MOS	-20	±10	-3.4	-0.45	-0.5	-0.55	-	-	43	58	55	78	-	SOT-23
SEM2306（Download）	N-ch MOS	30	±20	3.5	1	-	2.2	29.5	39	44	59	-	-	-	SOT-23
SEM2309（Download）	P-ch MOS	-60	±20	-3.4	-1	-	-2.5	75	100	85	-	-	-	-	SOT-23
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SEM2SK3541W（Download）	N-ch MOS	60	±20	0.19	0.7	1.1	1.5	1600	2000	1800	3000	2800	5000	Y	SOT-523
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SEM30GLN90D5（Download）	Dual-N	30	±20	150	1	1.5	2.2	1.9	2.4	2.6	3.7	-	-	-	PDFN5*6-8D
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SEM30GN50D5（Download）	N-ch MOS	30	±20	50	1.2	2	2.4	4.3	5.6	6.5	8.5	-	-	-	PDFN5*6-8
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SEM30GN60D5（Download）	N-ch MOS	30	±20	60	1	1.5	2.2	3.4	4.4	5	6.5	-	-	-	PDFN5*6-8
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SEM30LN35DN3（Download）	Dual-N	30	±20	30	1	1.5	2.2	6.8	8.6	10	13	-	-	-	DFN3*3-10
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SEM30N100T2（Download）	N-ch MOS	30	±20	100	1	-	2.2	3.2	4	4.5	5.6	-	-	-	TO-252
SEM30N100T2S（Download）	N-ch MOS	30	±20	100	1	1.5	2.2	3	4	5.5	7.7	-	-	-	TO-252
SEM30N105T2S（Download）	N-ch MOS	30	±20	105	1	-	2	2.8	3.6	4	5.7	-	-	-	TO-252
SEM30N120T2（Download）	N-ch MOS	30	±20	120	1	1.5	2.2	2.6	3.1	3.6	4.5	-	-	-	TO-252
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SEM30P30D3（Download）	P-ch MOS	-30	±20	-30	-1.2	-	-2.5	12	16	16	18	23	-	-	PDFN3.3*3.3-8

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