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功率场效应管/SGT

功率场效应管/SGT

工作原理:在传统沟槽MOSFET基础上,于沟槽底部引入与源极同电位的屏蔽栅结构。

主要特点:作为先进的MOSFET器件,相比普通沟槽MOSFET,具有更低的导通电阻和开关损耗,能突破传统硅极限。

典型应用:作为中低压功率MOSFET的主流器件,广泛用于手机快充、电机驱动和电源管理等。


Channel
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Package
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Vds(V)
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Vgs(V)±
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Id(A)
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Vth(V) / Min
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Vth(V) / Typ
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Vth(V) / Max
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Rdson_10V(mΩ) / Typ
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Rdson_10V(mΩ) / Max
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Rdson_4.5V(mΩ) / Typ
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Rdson_4.5V(mΩ) / Max
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Part Number ChannelPackageVds(V)Vgs(V)±Id(A)Vth(V) / MinVth(V) / TypVth(V) / MaxRdson_10V(mΩ) / TypRdson_10V(mΩ) / MaxRdson_4.5V(mΩ) / TypRdson_4.5V(mΩ) / Max
SEM100GDN40D5 Dual-NPDFN5*6-8100±20401.622.414162023
SEM30GLN45DN3 Dual-NDFN3*3-1030±204511.525.57.27.610
SEM30GLN55D5 Dual-NPDFN5*6-8D30±204511.52.256.57.910.5
SEM30GLN55D5 Dual-NPDFN5*6-8D30±206011.52.23.54.356.9
SEM30GLN90D5 Dual-NPDFN5*6-8D30±2015011.52.21.92.42.63.7
SEM30GLN90D5 Dual-NPDFN5*6-8D30±205011.72.44.15.668.2
SEM100GN40T2 N-ch MOSTO-252100±204011.5214.418.717.723
SEM30GN45D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-830±204511.52.24.96.57.810.5
SEM40GN45D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-840±204511.526.47.59.111.8
SEM30GN45D5 N-ch MOSPDFN5*6-830±204511.52.24.96.57.810.5
SEM40GN50D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-840±205011.5524.566.28.2
SEM30GN50D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-830±20501.222.44.35.66.58.5
SEM40GN50D5 N-ch MOSPDFN5*6-840±205011.5524.566.28.2
SEM30GN50D5 N-ch MOSPDFN5*6-830±20501.222.44.35.66.58.5
SEM30GN60D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-830±206011.52.23.44.456.9
SEM30GN60D5 N-ch MOSPDFN5*6-830±206011.52.23.44.456.5
SEM30GN60D5L N-ch MOSPDFN5*6-830±206011.624.16710
SEM40GN90D5 N-ch MOSPDFN5*6-840±20901.21.82.43.244.25.2
SEM100GN90D5 N-ch MOSPDFN5*6-8100±20901.31.536.887.811.4
SEM30GN120D3 N-ch MOSPDFN3.3*3.3-830±2012011.82.21.682.42.83.7
SEM30GN150D5 N-ch MOSPDFN5*6-830±2015011.82.21.682.42.83.7
SEM100GN165D5 N-ch MOSPDFN5*6-8100±2016511.522.53.22.94
SEM40GN320D5 N-ch MOS-40±203201.11.72.40.971.261.251.63
SEM100N03S2G N-ch MOSSOT-23100±203-1.83110140160300
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